是否支持STM32G0B1RCT6

[wansaiyon]

您好！
我之前在N32G452，STM32F407,STM32F103上面均移植过FDB,EASYFLASH，可正常用于产品开发，现在MCU换到了STM32G0B1RCT7，移植master分支的FDB，版本2.1.0，读取出现问题
问题描述：
测试fdb/samples下的demo代码，写入粒度配置为64时，CRC错误

修改写粒度为0，1，8，32均有其它写入错误

配置情况：
1.drv_flash_g0.c文件写粒度配置情况：
const struct fal_flash_dev stm32_onchip_flash = { "onchip_flash", STM32_FLASH_START_ADRESS, STM32_FLASH_SIZE, FLASH_PAGE_SIZE, {NULL, fal_flash_read, fal_flash_write, fal_flash_erase},64};
2.fdb_cfg.h文件写粒度配置情况：
#define FDB_WRITE_GRAN 64

3.fal_cfg.h文件设备及分区配置情况：
只使用了内部BANK2的fdb_tsdb1,fdb_kvdb1进行测试
/* flash device table /
#define FAL_FLASH_DEV_TABLE
{
&stm32_onchip_flash,
}
/ ====================== Partition Configuration ========================== /
#define FAL_PART_HAS_TABLE_CFG
#ifdef FAL_PART_HAS_TABLE_CFG
/ partition table /
#define FAL_PART_TABLE
{
{FAL_PART_MAGIC_WORD, "app", "onchip_flash", 01024, 120*1024, 0},
{FAL_PART_MAGIC_WORD, "etc", "onchip_flash", 120x1024, 8x1024, 0},
{FAL_PART_MAGIC_WORD, "param", "onchip_flash", 128x1024, 8x1024, 0},
{FAL_PART_MAGIC_WORD, "fdb_tsdb1", "onchip_flash", 136x1024, 8x1024, 0},
{FAL_PART_MAGIC_WORD, "fdb_kvdb1", "onchip_flash", 144x1024, 16x1024, 0},
}
FLASH驱动验证情况：
STM32G0B1RCT7的内部FLASH驱动移植的RTT的drv_flash_g0.c的代码，测试过双BANK（BANK1/BANK2均为128KB）读、写、擦除均正常。

[enkiller]

我在 STM32Gx 系列上也遇到类似问题。我是这样修改的，你可以参考一下

1. 修改了 write_kv_hdr 函数，在写入 FDB_KV_PRE_WRITE 标记之后，在整条数据的末尾，添加了一个标记

static fdb_err_t write_kv_hdr(fdb_kvdb_t db, uint32_t addr, kv_hdr_data_t kv_hdr, bool isfull)
{
    fdb_err_t result = FDB_NO_ERR;
    /* write the status will by write granularity */
    result = _fdb_write_status((fdb_db_t)db, addr, kv_hdr->status_table, FDB_KV_STATUS_NUM, FDB_KV_PRE_WRITE, false);
    if (result != FDB_NO_ERR) {
        return result;
    }
#if FDB_WRITE_GRAN > 1
    if (isfull != true) {
        /* Writes a end tag */
        uint8_t endtag[(FDB_WRITE_GRAN + 7) / 8];
        memset(endtag, FDB_BYTE_WRITTEN, sizeof(endtag));
        result = _fdb_flash_write((fdb_db_t)db, addr + kv_hdr->len, endtag, sizeof(endtag), false);
        if (result != FDB_NO_ERR) {
            return result;
        }
    }
#endif
    /* write other header data */
    result = _fdb_flash_write((fdb_db_t)db, addr + KV_MAGIC_OFFSET, &kv_hdr->magic, sizeof(struct kv_hdr_data) - KV_MAGIC_OFFSET, false);

    return result;
}

2. 修改 static fdb_err_t read_kv(fdb_kvdb_t db, fdb_kv_t kv) 函数，如果一个错误的头且处于删除状态，就不输出错误信息

   ...
    /* check CRC32 */
    if (calc_crc32 != kv_hdr.crc32) {
        uint32_t name_len = kv_hdr.name_len > FDB_KV_NAME_MAX ? FDB_KV_NAME_MAX : kv_hdr.name_len;
        kv->crc_is_ok = false;
        result = FDB_READ_ERR;
        if (kv->status == FDB_KV_ERR_HDR) {
            /* Incorrect KV has been removed. skip */
        } else {
            /* try read the KV name, maybe read name has error */
            kv_name_addr = kv->addr.start + KV_HDR_DATA_SIZE;
            _fdb_flash_read((fdb_db_t)db, kv_name_addr, (uint32_t *)kv->name, FDB_WG_ALIGN(name_len));
            FDB_INFO("Error: Read the KV (%.*s@0x%08" PRIX32 ") CRC32 check failed!\n", name_len, kv->name, kv->addr.start);
        }
    } else {
   ...

另外需要注意，STM32Gx 系列 Flash 带 ECC 特性，写入过程中掉电，概率出现 ECC 校验错误，访问错误的数据区域，将触发 NMI 中断

[armink]

@enkiller STM32Gx 是啥特性，和 FDB 支持的其他 Flash 有啥区别？

[enkiller]

@enkiller STM32Gx 是啥特性，和 FDB 支持的其他 Flash 有啥区别？

1. Gx 系列不支持反复写，已经写入 0xFF 后，无法修改成其他值
2. 写入 8 字节对齐
3. 带 ECC 校验，访问 ECC 错误的数据，会产生 NMI 异常。物理层有限制，因此不能完全做到掉电安全。

[enkiller]

@enkiller STM32Gx 是啥特性，和 FDB 支持的其他 Flash 有啥区别？

1. Gx 系列不支持反复写，已经写入 0xFF 后，无法修改成其他值
2. 写入 8 字节对齐
3. 带 ECC 校验，访问 ECC 错误的数据，会产生 NMI 异常。物理层有限制，因此不能完全做到掉电安全。

[armink]

@enkiller STM32Gx 是啥特性，和 FDB 支持的其他 Flash 有啥区别？

1. Gx 系列不支持反复写，已经写入 0xFF 后，无法修改成其他值
2. 写入 8 字节对齐
3. 带 ECC 校验，访问 ECC 错误的数据，会产生 NMI 异常。物理层有限制，因此不能完全做到掉电安全。

明白了，第一个问题可否在驱动层完善下，比如：写之前先读取一下，如果发现读取回来的是 FF ，写入的也是 FF ，就跳过当前写入动作

[enkiller]

我在 write_kv_hdr 函数加入数据结束标志，是防止当前数据写入掉电，下次写入时，从结束标志后开始写。防止下一条数据也写入失败